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中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長葉甜春:我國半導體產(chǎn)業(yè)要通過路徑創(chuàng)新來開辟新發(fā)展空間

每日經(jīng)濟新聞 2024-06-22 21:54:23

每經(jīng)記者|陳鵬麗    每經(jīng)編輯|楊夏    

6月22日至23日,由芯謀研究主辦的第三屆IC NANSHA大會在廣州南沙召開。《每日經(jīng)濟新聞》記者現(xiàn)場參會獲悉,該大會吸引了300多位半導體領(lǐng)域的政、產(chǎn)、學、研界代表前來參會,包括高通、恩智浦半導體等國際企業(yè)代表,以及工業(yè)富聯(lián)等國內(nèi)頭部企業(yè)的代表等。

22日,中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長葉甜春出席大會并致辭表示,中國的集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展要進入新的階段,實現(xiàn)自立自強,打造自身的新質(zhì)生產(chǎn)力。接下來,半導體產(chǎn)業(yè)不僅要在裝備、材料上繼續(xù)攻關(guān),還要做路徑創(chuàng)新,擺脫當年全球化體系下的路徑依賴,開辟自己的發(fā)展空間。

葉甜春 圖片來源:每經(jīng)記者 陳鵬麗 攝

在他看來,國內(nèi)半導體行業(yè)的重點戰(zhàn)略任務(wù)之一是:基于成熟制程,通過應(yīng)用創(chuàng)新做出高端產(chǎn)品。此外,行業(yè)還要開辟創(chuàng)新發(fā)展路徑。先進制程上,除了現(xiàn)有的晶體硅、FinFET(Fin Field-Effect Transistor,鰭式場效應(yīng)晶體管)的路徑外,基于FD-SOI(全耗盡型絕緣體上硅)、平面制程的先進制程路徑也要開辟出來。FD-SOI(全耗盡型絕緣體上硅)和平面制程并不是全新的路徑,此前國際上已經(jīng)存在,但葉甜春認為,這一條“特色小路”。

“我們有這種迫切的需求和壓力去把這條‘特色小路’開辟成發(fā)展的主賽道之一。”葉甜春說。

他還認為,半導體產(chǎn)業(yè)不能只在單芯片的集成上做文章,還要在三維異質(zhì)異構(gòu)這個微系統(tǒng)集成上做文章,這也屬于路徑創(chuàng)新范疇。不過他同時也強調(diào),半導體產(chǎn)業(yè)的路徑創(chuàng)新,不只是技術(shù)創(chuàng)新的問題,需要一整套“組合拳”打下去才能夠?qū)崿F(xiàn),包括設(shè)計產(chǎn)業(yè)模式的創(chuàng)新、設(shè)計產(chǎn)業(yè)集群的打造、產(chǎn)業(yè)生態(tài)的構(gòu)建、相應(yīng)產(chǎn)業(yè)政策跟進,以及行業(yè)企業(yè)共同努力等等。

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