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機(jī)構(gòu):預(yù)計(jì)2027年底DRAM將邁入個(gè)位數(shù)納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)

每日經(jīng)濟(jì)新聞 2025-02-18 14:39:13

每經(jīng)AI快訊,2月18日,TechInsights微信公眾號(hào)發(fā)布報(bào)告稱,2025年第一季度,市場(chǎng)上將首次推出D1c的一小部分產(chǎn)品,首先由SK海力士推出。D1c世代將在2026年和2027年占據(jù)主導(dǎo)地位,包括HBM4 DRAM應(yīng)用。從市場(chǎng)角度看,HBM產(chǎn)品,尤其是HBM3和HBM3E,性能卓越但目前價(jià)格高昂,而傳統(tǒng)產(chǎn)品如LPDDR5和DDR5器件則價(jià)格較低且性能相對(duì)較弱。未來AI和數(shù)據(jù)中心將需要更高的單個(gè)裸晶的內(nèi)存容量,例如32 Gb、48 Gb或64 Gb芯片,但目前市場(chǎng)上主流仍是16 Gb裸晶。在更高密度的DRAM芯片中,應(yīng)開發(fā)3D DRAM架構(gòu),如4F2垂直溝道晶體管 (VCT) 單元、IGZO DRAM單元或3D堆疊DRAM單元,并在10納米以下級(jí)別節(jié)點(diǎn)(個(gè)位數(shù)節(jié)點(diǎn))實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化,尤其是三星、SK海力士和美光等主要廠商,作為下一代DRAM縮放的候選方案。D1a和D1b是市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品。到2027年底,我們預(yù)計(jì)DRAM將邁入個(gè)位數(shù)納米技術(shù)節(jié)點(diǎn),如D0a,隨后將是0b和0c世代。

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