截至5月19日收盤，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)上漲0.68%，成分股富創(chuàng)精密上漲8.08%，三佳科技上漲4.85%，華海誠科上漲4.33%，金宏氣體上漲3.63%，滬硅產(chǎn)業(yè)上漲2.86%。半導(dǎo)體材料ETF（562590）上漲0.47%，最新價報1.07元。

流動性方面，半導(dǎo)體材料ETF盤中換手2.31%，成交738.39萬元。整體來看，半導(dǎo)體材料ETF（562590）盤中交易活躍，持續(xù)出現(xiàn)溢價。份額方面，半導(dǎo)體材料ETF最新份額達(dá)3.00億份，創(chuàng)近1月新高。

從資金凈流入方面來看，半導(dǎo)體材料ETF近6天獲得連續(xù)資金凈流入，最高單日獲得542.63萬元凈流入，合計“吸金”1732.02萬元，日均凈流入達(dá)288.67萬元。

消息方面，今日小米集團(tuán)創(chuàng)始人、董事長兼CEO雷軍在個人社交平臺發(fā)布消息，小米自主研發(fā)設(shè)計的3nm制程手機(jī)處理器芯片玄戒O1即將亮相。

2024年，中國集成電路出口額首次突破萬億元大關(guān)，從設(shè)計、制造到封裝測試，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)都取得了顯著進(jìn)展，小米突破3nm先進(jìn)制程設(shè)計是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又一個令人振奮的好消息。

半導(dǎo)體材料ETF（562590）及其聯(lián)接基金（A/C：020356；020357）緊密跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備指數(shù)，指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（55.8%）、半導(dǎo)體材料（21.3%）占比靠前，合計權(quán)重超77%，充分聚焦指數(shù)主題，錨定半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，精準(zhǔn)錨定芯片制造相關(guān)領(lǐng)域，覆蓋光刻膠、大硅片、刻蝕機(jī)等關(guān)鍵賽道，直擊芯片產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化剛需，為投資者捕捉半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級紅利。